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机能

Sentaurus Deviceは、以下のような幅広いカテゴリでシミュレーション机能を提供する汎用デバイス?シミュレーション?ツールです。

高度のロジック?テクノロジ Sentaurus Deviceは、ストレス解析、チャンネル量子化効果、ホット?キャリア効果、バリスティック伝導、その他の多くの高度の伝導現象を含む、FinFETおよびFDSOIなどの高度のロジック?テクノロジをシミュレーションします。Sentaurus Deviceは、SiGe, SiSn, InGaAs, InSbなどの移動性の高いチャネル材料のモデリングをサポートし、原子論に基づくプロセスばらつき効果のモデリングに効率的な方法を実行します。

化合物半导体テクノロジ: Sentaurus Deviceでは、GaAs、InP、GaN、SiGe、SiC、AlGaAs、InGaAs、AlGaN、InGaN、またはその他の元素で構成されるHEMTやHBTのようなヘテロ構造素子内のキャリア輸送における、シュレーディンガー方程式の厳密な解法や複雑なトンネル効果などの高度な量子化モデルをシミュレーションできます。

オプトエレクトロニクス?デバイス: Sentaurus Deviceには、CMOSイメージ?センサ、太陽電池などの半導体デバイスのオプトエレクトロニクス特性をシミュレーションする机能があります。さらに、Sentaurus Deviceには、FDTD法によるマクスウェル波動方程式の厳密な解を求めるオプションもあります。

パワー?エレクトロニクス?デバイス: Sentaurus Deviceは、GaNやSiCのようなワイドバンドギャップ材料で形成されたIGBT、パワーMOS、LDMOS、サイリスタ、高周波ハイパワー?デバイスなどの様々なパワー?デバイスの電気効果と熱効果をシミュレーションするための、柔軟性に優れた高度なプラットフォームです。

メモリー?デバイス: Sentaurus Deviceはゲート?リークの先進的なトンネリング?モデルおよびトラップ/デトラップ?モデルにより、high-k絶縁膜を使用したデバイスを含むSONOSやフラッシュ?メモリ?デバイスのようなどんなフローティング?ゲート?デバイスもシミュレーションできます。

放射线効果: 半導体デバイス動作に対する放射線の影響をSentaurus Deviceで検討できます。シングルイベント?アップセット（SEU）やシングル?イベント?トランジェント（SET）などのシングル?イベント効果や、トータル?イオン?ドース（TID）効果をシミュレーションできます。

新规半导体テクノロジ: Sentaurus Deviceの高度な物理的洞察と、ユーザー定義モデルを追加する机能により、新しい材料で構成された新規構造の可能性を検討できます。