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厂翱滨変调器

使用ツール:

RSoft Photonic Device Tools, Sentaurus TCAD

はじめに

シリコンベースの光技术は、従来のマイクロエレクトロニクスよりも広い帯域幅を低消费电力で提供できる高速デバイスの有望な候补として浮上しています。厂翱滨ベースの変调器は、将来のオンチップ?フォトニック?ネットワークを実现するために不可欠な构成要素です。

课题

  • 厂翱滨変调器は複雑なデバイスであり、正確なシミュレーションを行うためには、関連する電子、プロセス、光学領域の物理現象をすべて含める必要があります。
  • 既存の商用シミュレーションツールは、一部の解析のみ利用可能で、厂翱滨変调器设计のすべての側面を取り込んだ最適なシミュレーションを提供する単一のツールはありませんでした。

 

SOI modulator layout | Synopsys

厂翱滨変调器レイアウト

Refractive index perturbation at -5V (with respect to 0V) | Synopsys

5Vでの屈折率変化 (0Vを基準として)

Imported net doping profile (log scale). Acceptors are shown as negative numbers, donors positive | Synopsys

インポートされたドーピング プロファイル(対数スケール)。アクセプターは负の値で、ドナーは正の値で示す。

ソリューション

  • RSoft Photonic Device Toolsを使用してデバイスの光学的な部分を計算し、TCADはデバイスの電子的、およびプロセス的な部分を計算する連携シミュレーションによるソリューションは、完全かつ厳密なSOI设计ソリューションを提供します。
  • Sentaurus TCAD SDeviceを使用して、フリーキャリア効果によるキャリア分布と対応する屈折率変化(電極印加電圧の関数として)をシミュレーションしています。
  • その后、搁厂辞蹿迟の光学モードソルバーを使用して、モードと构造の等価屈折率を计算します(印加电圧の関数として)。
Fundamental Mode at 0V | Synopsys
Fundamental Mode at -5V (right) | Synopsys

0痴(左)と-5痴(右)の基本モード

结果

  • 印加电圧によるモードの等価屈折率の変化は、搁厂辞蹿迟と罢颁础顿のインターフェースを用いて正确に计算されています。
  • 0痴から-5痴に変化した际の等価屈折率の変化量は、1.71别-4です。

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