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础滨驱动的设计应用
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上期新思科技的滨笔技术大牛们录制视频，大家是否已经观看了？
如果还是意犹未尽的话，本周我们又有新的视频上架了，本期，我们将于芯片开发者分享接口滨笔产物另外两个明星产物的更新状态，以此帮助开发者更好的了解SoC设计所需的最基本的IP功能与优势，助力开发者在选品中不走弯路还能与时俱进。
适用于22纳米工艺的DesignWare MIPI D-PHY IP
产物经理：Licino Sousa
新思科技的优质的MIPI C-PHY/D-PHY IP方案更新延申至MIPI D-PHY IP在22纳米工艺，本视频将简单介绍该工艺下MIPI D-PHY IP方案的优势，以及所具有RX，TX，双向模式以及工作速率为10 Gbps 的2和4通道。MIPI C-PHY/D-PHY IP方案应该说是物联网，汽车和AI Edge等应用中理想选择。
新一代DesignWare USB4 IP
产物经理：Eric Huang & Gervais Fong
新的USB4标准支持多种高速接口协议，包括USB4，DisplayPort，PCI Express和Thunderbolt3。USB4通过 Type-C接口同时提供数据、高分辨率视频传输与设备供电，为数据传输提供了高效的技术保障。应用到SoC中的USB4 IP可为消费者带来高达20或40 Gbps的吞吐量，为高性能边缘AI、存储、PC和平板SoC设计提供所必需的带宽。
高性能Designware存储器接口DDR/LPDDR IP
产物经理：Brett Murdock
了解新思科技DesignWare存储器接口滨笔中DDR5，LPDDR5和HBM2 / 2E的最新产物信息，SoC开发者可以利用具有高性能，低功耗和小面积的IP解决方案来帮助DRAM相关设计。
DesignWare IP PCIe 5.0
产物经理：Gary Ruggles
获得新思科技DesignWare有关PCIe 5.0控制器和PHY IP的最新产物信息。通过低延迟，紧凑，省电且经过硅验证的IP解决方案帮助SoC开发在降低风险的同时还可提高SoC的全面性能参数。
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