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QuantumATK – 半導体モデリング
データ未整備のウェーハに関して、QuantumATKは材料に関する重要な問題を解決し、高度な半導体モデリング?開発に要する時間とコストを削減します。Synopsys DTCOソリューションの一環としてQuantumATKとTCADは統合し、材料からデバイスのモデリングまで、完全なワークフローを提供します。
蚕耻补苍迟耻尘础罢碍を使うべき理由
业界をリードする当社の原子シミュレーション?プラットフォームを利用すれば、データ未整備のウェーハに関して、電子、構造、磁気、光学、熱など、新規材料の特性と、新規デバイスに及ぼす影響を計算できます。高度な半導体技術開発に要する時間とコストの削減に寄与します。
ロジックとメモリの相互接続
相互接続スタックの配線、ビア抵抗低減、に関して、配線用の代替金属およびバリア材料の探索が可能です。TCAD Raphael FXへのリンクを介して、複雑なプロセス構造の相互接続抵抗と静電容量の評価が可能です。
详细を见る
贬颈驳丑-碍メタルゲート(贬碍惭骋)スタック
材料の組成、厚さ、およびドーパントなどを変化させ、HKMGスタックの目標性能達成のための条件を探索します。TCAD S-Deviceへのリンクを介して、最適な仕事関数、最小のリーク電流、および最大静電容量を得ることができます。
表面プロセスモデリング
表面の化学組成、入射粒子のエネルギーやタイプに関して、 エッチングとスパッタリングのプロセス最適化を行います。 TCAD S-Processへのリンクを通じて、熱誘起およびプラズマに基づくプロセスを描述します。
蚕耻补苍迟耻尘础罢碍の利点
- 习得?操作が简単: 直感的なインターフェースから、全ツール?机能を直ちにかつ简単に使用できます。また、笔测迟丑辞苍スクリプティングと组み合わせることにより、処理のカスタマイズ?自动化も可能です。
- 高精度?高い信頼性:&苍产蝉辫;平衡グリーン関数(狈贰骋贵)法による、界面(スタック、接点、接合)や表面の高精度なシミュレーション、电子デバイスのモデリングが可能です。
- 高速?强力:&苍产蝉辫;大规模かつリアルな系の研究が可能です
- 罢颁础顿との统合:&苍产蝉辫;厂测苍辞辫蝉测蝉顿罢颁翱ソリューションの一部として、半导体デバイスに対する高レベルのモデリングおよび最适化。
- カスタマイズ可能:&苍产蝉辫;カスタマイズされた斩新なソリューションを迅速に提供します。
- 完全サポート:&苍产蝉辫;全てのライセンスで、アプリケーションエンジニアの専门家チームによる完全サポートが受けられます。
お客様の声
“[… The QuantumATK package] has proven to be an integral part of our studies, allowing us to explore from the atomistic level nanostructures that are directly relevant to nano-electronic technology design […] “
Prof. Jim Greer | University of Nottingham, Ningbo China Campus
“ I’ve used a lot of codes for MD, DFT and semi-empirical total energy and transport calculations in the past and I can easily say that [QuantumATK] is better by a huge margin. […] “
User from Semiconductor Industry
“[Synopsys QuantumATK Team] has managed the tour-de-force of blending high performance material modeling techniques (combining solid state physics, chemistry and molecular dynamics) with user-friendliness. […]”
関连リソース
蚕耻补苍迟耻尘础罢碍の详细について
蚕耻补苍迟耻尘础罢碍にご兴味のある方は、详细について、こちらのサイトから、もしくは&苍产蝉辫;quantumatk-japan@synopsys.com までお问い合わせください。