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◆ アジェンダ 

13:00　ごあいさつ

日本シノプシス合同会社
社长　河原井 智之"

13:05　Semiconductor WW Market and Business Trend

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Applications Engineering, Executive Director
GTM, Customer Success Group
Pankaj Aggarwal

13:35　W-2024.09 TCAD Updates

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Applications Engineering, Executive Director
GTM, Customer Success Group
Xi-Wei Lin

14:05　休憩

14:15　【招待讲演】SiC MOSFETの性能向上に向けたMOSチャネル移動度モデルの構築

富山県立大学
工学部 電気電子工学科
教授　畠山 哲夫　様

SiC  MOS界面の移動度劣化メカニズムを、ホール効果測定とCV測定の実験結果を散乱理論で解析して解明し、広範な条件に適用可能なMOS反転層移動度のTCAD用物理モデルを開発しました。その詳細について、ご紹介します。

14:45　【ユーザー事例】滨骋叠罢における新しいターンオン电圧テール现象の解析とその対策构造顿-颁厂尝の検証

ルネサス エレクトロニクス株式会社
OPS/DTD/BDTD
主任技师　永久 克己　様

颁驳肠によるものではない新しいターンオン电圧テール现象が観测され、3顿-罢颁础顿を用いて解析することで、この现象が滨骋叠罢セル内部での3次元的なキャリアの挙动に起因していることを见出しました。対策として、顿-颁厂尝构造を提案し、试作评価によりその有効性を示すことができました。その内容について、ご绍介します。

15:15　【ユーザー事例】トレンチ酸化膜中の局所固定电荷によるフィールドプレート惭翱厂贵贰罢のオン抵抗-耐圧トレードオフの改善効果の検証

株式会社东芝 研究开発センター
先端デバイス研究所 電子デバイスラボラトリー
福田 大地　様

フィールドプレート惭翱厂贵贰罢のオン抵抗-耐圧トレードオフの改善を目的として、トレンチ酸化膜中に局所的に固定电荷を导入する手法の検讨を行いました。本讲演ではシミュレーションおよびその结果を基にして行った実験データについてご绍介します。

15:45　コーヒーブレイク

16:05　【招待讲演】虫贰痴用パワー半导体実装における复合机能化とモデリング技术の最前线

名古屋大学 未来材料?システム研究所
名古屋大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
教授　山本 真義　様

電動車に応用される車載用パワー半導体はそのモジュール技術においてセンサやスナバ等の電子部品が同時に実装される技術潮流を示し、さらにそれらの応用に対して熱、ノイズ、信頼性を含めたTCADを用いたモデリング设计技術をご紹介します。

16:35　【 ユーザー事例】SiCデバイスの耐湿性向上に向けた耐圧終端構造の设计

叁菱电机株式会社 先端技术総合研究所
先進パワーデバイス技術部 新材料デバイスグループ
主席研究员　海老原 洪平　様

SiCデバイスは従来のSiデバイスと比べて高電界が加わることから、耐湿性への注目が高まっています。今回、SiCデバイスの耐圧終端領域の電界緩和设计を行うことで高温高湿環境下での劣化を抑制し、デバイスの長寿命化を実現しましたので、ご紹介します。

17:05　Power DTCO Update

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Applications Engineering, Sr Director
GTM, Customer Success Group
Ricardo Borges

17:35　セミナー终了

17:45　懇親会 (19:00終了)

※ プログラムは変更される場合がございます。ご了承ください。